ddr2內(nèi)存已經(jīng)成為目前絕大部分用戶的標(biāo)配產(chǎn)品，而如何合理設(shè)置ddr2的參數(shù)就成為了不少用戶（尤其是菜鳥用戶）的最想了解的地方。當(dāng)你超頻的時候，如何平衡內(nèi)存頻率和參數(shù)之間的關(guān)系；究竟如何合理選取內(nèi)存頻率，什么參數(shù)才是帶來最高性能呢？相信這些問題是目前最多用戶最想了解。 



  其實要了解這些東西，首先要明白ddr2內(nèi)存在bios中的參數(shù)設(shè)置情況。因為要提高系統(tǒng)整體性能，并不只是簡單超頻cpu外頻，調(diào)高內(nèi)存頻率這么簡單，將一大堆數(shù)字合理地分配和組合才是最為重要的。目前市場上銷售的ddr2內(nèi)存主要按頻率來劃分，譬如ddr2 533、ddr2 667、ddr2 800就是消費(fèi)者最常見的產(chǎn)品（注：部分廠商推出ddr2 1000高頻ddr2內(nèi)存，但這些ddr2內(nèi)存在市場上并不多見，而價格昂貴，所以我們就暫時不討論一些超頻型ddr2內(nèi)存）。在這三款內(nèi)存產(chǎn)品當(dāng)中，就數(shù)ddr2 667內(nèi)存最為多人購買，因為它同時具備了性能、價格、兼容性這些特點，而ddr2 533已經(jīng)逐步被ddr2 667所取代。



  至于目前頻率較高ddr2 800也逐漸成為玩家購買的對象，因為intel雙核心平臺對高頻ddr2內(nèi)存有著極大需求，要發(fā)揮酷睿2最大威力，一條高頻率、可運(yùn)行高參數(shù)的ddr2內(nèi)存是非常重要的。鑒于amd am2處理器內(nèi)置了ddr2內(nèi)存控制器，所以am2平臺的ddr2設(shè)置方法與intel平臺有著不同。



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小知識：內(nèi)存的性能取決于兩方面，第一是內(nèi)存頻率，另外一個是內(nèi)存的延遲參數(shù)。沒有合理的延遲參數(shù)，內(nèi)存頻率盲目提高也不能獲取得高性能；沒有一定頻率的基礎(chǔ)，出色的延遲參數(shù)也只是擺設(shè)。





  相關(guān)主板產(chǎn)品：華碩p5b deluxe/wifi-ap（intel ddr2平臺）主板、amd c61g主板 



  最穩(wěn)當(dāng)?shù)膁dr2內(nèi)存設(shè)置方法，就是在主板bios當(dāng)中將ddr2的設(shè)置參數(shù)設(shè)為by spd，而這個選項也是最安全的ddr2內(nèi)存設(shè)置方法。不過這個設(shè)置最大缺點是，沒有將內(nèi)存的潛力發(fā)揮出來，只是用安全換來相對較低的性能。如果你想超頻手中的ddr2，那么by spd選項將不是你的設(shè)置的地方，手動調(diào)整才是你的手段。



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以華碩p5b deluxe/wifi-ap為例，將by spd改成disable之后，就會出現(xiàn)豐富的內(nèi)存參數(shù)調(diào)整選項。

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由于intel在北橋芯片上集成ddr2內(nèi)存控制電路，所以在內(nèi)存設(shè)置參數(shù)方面就要比amd平臺少，譬如1t/2t timing command per clock這個參數(shù)就不會出現(xiàn)在intel p965/975主板上（注：在最新的nforce680i主板當(dāng)中，是提供了這個選項）。 

  在眾多ddr2參數(shù)值里面，cas latency control（簡稱cl值）這個參數(shù)最為人們熟悉，很多玩家在超頻的時候，就非�？粗剡@個參數(shù)調(diào)整。從理論上說，這個cl值越低，內(nèi)存跑的速度越快，但同時也增加了內(nèi)存的不穩(wěn)定性。在這里，筆者建議各位玩家在設(shè)置cl值的時候，要注意手中的內(nèi)存承受能力。盲目將數(shù)值調(diào)低，是非常之不明智的做法。對于目前的ddr2平臺來說，我們就認(rèn)為選4、5這個兩個cl值較為適宜，而3、6這兩個cl值，前者對ddr2超頻能力有著極高要求，并且需要加一定手段才達(dá)成，而后者則需要需要特定環(huán)境下才設(shè)定（譬如內(nèi)存頻率高達(dá)1g以上，cl值就要相應(yīng)地調(diào)高）。

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編輯提醒：內(nèi)存頻率越低，那么就將cl值調(diào)低，這樣做是提升系統(tǒng)性能的最佳方法；當(dāng)將內(nèi)存頻率超頻至高頻的時候，就要將cl值調(diào)高，這樣做是保證超頻成功的處理方法。cl值為3多適用于ddr2 800、ddr2 1066這些高頻內(nèi)存上，而普通的ddr2 667內(nèi)存盡量控制設(shè)定在4、5這兩個cl值。



  dram ras# to cas# delay（又稱trcd）、row precharge timing（又稱trp）這兩個參數(shù)對于很多初級用戶來說，是一些陌生參數(shù)。其實簡單來說，trcd、trp參數(shù)是用來改善內(nèi)存穩(wěn)定性。假若trcd、trp數(shù)值越高，那么內(nèi)存的穩(wěn)定性將會更加好。通常最佳性能是2，最穩(wěn)定的是6。 

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編輯提醒：這個數(shù)值對超頻有起著非常關(guān)鍵的作用，當(dāng)你將內(nèi)存超頻至非常高頻率的時候，將trcd和trp值調(diào)低會增加超頻成功機(jī)會。就算玩家不超頻，將數(shù)值調(diào)高，也保障了系統(tǒng)的穩(wěn)定性。對于廣大用戶來說，3、4、5這三個數(shù)值是最為保險的，而6這個數(shù)值多數(shù)在瘋狂提高內(nèi)存頻率的時候使用。需要大家特別注意的是，trp數(shù)值應(yīng)該是與trcd相等或者更少。

dram ras# activate to precharge（又稱tras值）是一個頗具爭議性的參數(shù)，而這個參數(shù)又與剛剛介紹的trcd、trp有著莫大關(guān)系。如果將tras調(diào)整不當(dāng)，將會嚴(yán)重影響內(nèi)存的整體情況。簡單來說，tras值越低越好，而提高tras值也提高內(nèi)存的穩(wěn)定性。在調(diào)整tras值的時候，需要顧及cl值和trcd值這個參數(shù)，這里有個公式可以供給大家參考。 



  tras=cl+trcd+2（舉例，當(dāng)cl值設(shè)置為5、trcd為5的時候，那么這時tras的最佳設(shè)定值為12）



  由于部分主板廠商并沒有提供tras值全部數(shù)值（理論上使1-18），所以大家要盡量調(diào)低tras值的時候，只能靠軟件來幫助，其中最常用的軟件為memset。

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編輯提醒：tras值的調(diào)整不像剛才介紹ddr2內(nèi)存那樣固定，不同內(nèi)存往往有不同的設(shè)定值，而大家也不要拘泥于數(shù)字上，根據(jù)自家內(nèi)存的特點來設(shè)定才是王道。對于部分超頻性能好的內(nèi)存產(chǎn)品（譬如鎂光d9系列），那么就更加需要用戶多嘗試，因為不同芯片的tras值往往有著天淵之別。



  當(dāng)大家調(diào)整好ddr2內(nèi)存中的cl、trcd、trp、tras這四個最重要的參數(shù)之后，內(nèi)存的基本潛能已經(jīng)可以基本發(fā)揮出來，至于其他那些更加具體的參數(shù)，我們建議各位采用默認(rèn)值（盡量采用auto選項）。其實這些參數(shù)的調(diào)整對內(nèi)存的影響并不如這四大參數(shù)明顯，而調(diào)整其他參數(shù)對內(nèi)存的性能帶來的提升也不大。除了以上這幾個參數(shù)之外，我們還要特別需要amd ddr2平臺用戶關(guān)注command rate這個參數(shù)，而這個參數(shù)通常會有1t、2t、auto選項。 

  大家不要少看1t、2t這兩個簡單數(shù)值，因為這些數(shù)字的改變對內(nèi)存超頻或延遲優(yōu)化有著極其重要作用。很多amd玩家就非常在乎這個數(shù)值的選取，假若內(nèi)存在高頻低延時的情況下還可以跑1t，那么這條內(nèi)存將會給玩家稱之為極品。



  編輯注釋：intel 965/975系列是不提供1t/2t選項，目前能在intel平臺打開內(nèi)存1t/2t的主板只有nforce680i。



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剛剛我們提及的ddr2內(nèi)存設(shè)置技巧全部都是在主板bios里面設(shè)置，對于部分初級玩家來說，可能有一定難道。為了讓更加多朋友了解ddr2內(nèi)存參數(shù)設(shè)置，我們也提供了軟件設(shè)置的介紹。只要大家搜索“ memset超頻工具”下載，而這個軟件里面提供的選項比主流主板bios提供的還豐富。無論你是超頻狂人也好，還是初級菜鳥，這個軟件都可以幫你榨干手中的ddr2。 





  要將手中的ddr2發(fā)揮到極限，除了學(xué)會設(shè)置ddr2技巧之外，還要注意一些細(xì)節(jié)地方，譬如適當(dāng)調(diào)整內(nèi)存的工藝電壓，以及為內(nèi)存芯片顆粒額外加裝散熱裝置（注：由于ddr2顆粒采用發(fā)熱量少的fcbga封裝，所以在承受電壓方面要比ddr好，而我們建議各位盡量不要將內(nèi)存工作電壓超過2.4v）。



  我們就用一句話來形容ddr2參數(shù)技巧設(shè)置——參數(shù)越大越穩(wěn)定，越少越高性能。

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在上文的文章里面，我們介紹的是如何設(shè)置ddr2內(nèi)存參數(shù)，那么以下我們就做一個小小評測，讓大家看看這些數(shù)字的更改會對內(nèi)存帶來什么幫助。為求讓大家看到參數(shù)對內(nèi)存的影響，我們特意拿了一條非常普通的散裝hy ddr2 533內(nèi)存來做測試，而主板就是用了華碩p5b dulex wifi/ap、奔騰d 820 2.8g，測試軟件為super pi（注：以下測試全部在默認(rèn)1.8v下進(jìn)行，super pi運(yùn)算時間越短，代表內(nèi)存性能越高）。 

  首先是cl值為3，其余參數(shù)為3（trcd）－3（tpr）－8（tras）這個最高性能參數(shù)來運(yùn)行super pi 104萬運(yùn)算截圖，最后運(yùn)算時間為49.328s。

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其次是cl值為4，其余參數(shù)為4（trcd）－4（tpr）－11（tras）這個普通性能參數(shù)來運(yùn)行super pi 104萬運(yùn)算截圖，最后運(yùn)算時間為49.812s

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最后是cl值為5，其余參數(shù)為6（trcd）－6（tpr）－15（tras）這個降低性能加強(qiáng)穩(wěn)定性的參數(shù)來運(yùn)行super pi 104萬運(yùn)算截圖，最后運(yùn)算時間為50.906s。

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通過這個小小測試，就可以看出內(nèi)存參數(shù)的改動對整體系統(tǒng)的重要性。大家千萬不要以往super pi運(yùn)算時間相差很少，就代表性能提升不明顯。其實當(dāng)你進(jìn)行超頻的時候，這些參數(shù)的改變更是是十分明顯。如果你是不相信，不妨可以運(yùn)行一些大型程序軟件來驗證一下。最后，祝愿各位朋友能發(fā)揮手中ddr2內(nèi)存的最大潛能。